JMTG3008A Todos los transistores

 

JMTG3008A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTG3008A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 24 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 162 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0086 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
 

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JMTG3008A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:512K  jiejie micro
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JMTG3008A

JMTG3008ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETApplicationsFeatures 30V, 40A Load SwitchRDS(ON)

 6.1. Size:1182K  jiejie micro
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JMTG3008A

30V, 41A, 8.7m Dual N-channel Power Trench MOSFETJMTG3008DProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 30 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 41 AApplicationsRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 6.1 mW Load Switch RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 8.7 mW PWM Application

 7.1. Size:569K  1
 jmtg3002b.pdf pdf_icon

JMTG3008A

JMTG3002B Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 30V,120A Load Switch R

 7.2. Size:799K  jiejie micro
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JMTG3008A

JMTG3002BDescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 30V, 120A Load SwitchRDS(ON)

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