JMTG320N10A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTG320N10A  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6-8L

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JMTG320N10A datasheet

 ..1. Size:1186K  jiejie micro
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JMTG320N10A

100V, 28A, 24.1m N-channel Power Trench MOSFET JMTG320N10A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 28 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 22.4 mW Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 24.1 mW Load Switch PWM Application

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JMTG320N10A

JMTG3002B Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 30V,120A Load Switch R

 9.2. Size:799K  jiejie micro
 jmtg3002b.pdf pdf_icon

JMTG320N10A

JMTG3002B Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 120A Load Switch RDS(ON)

 9.3. Size:1241K  jiejie micro
 jmtg3005c.pdf pdf_icon

JMTG320N10A

30V, 103A, 5.7m N-channel Power Trench MOSFET JMTG3005C Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 30 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 103 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.2 mW Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 5.7 mW Load Switch PWM Application P

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