JMTG90N02A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTG90N02A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 528 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0036 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
Búsqueda de reemplazo de JMTG90N02A MOSFET
JMTG90N02A Datasheet (PDF)
jmtg90n02a.pdf
JMTG90N02ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 20V, 75A Load SwitchRDS(ON)
Otros transistores... JMTG3005A , JMTG3005B , JMTG3005C , JMTG3008A , JMTG3008D , JMTG320N10A , JMTG4004A , JMTG60N04B , NCEP15T14 , JMSL0615AGD , JMSL0615AGDQ , JMSL0615AP , JMSL0615APD , JMSL0615AUD , JMSL0615AV , JMSL0615PGDQ , JMSL0620AGDE .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: APJ14N65T | APJ14N65P | APJ14N65F | APJ14N65D | APN9N50D | AP65R190 | APJ50N65T | APJ50N65P | APJ50N65F | APJ30N65T | APJ30N65P | APJ30N65F | AP65R650 | APG60N10S | APG120N04NF | AP8G06S
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