JMSL0620AGE Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMSL0620AGE 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 143 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
Encapsulados: PDFN5X6-8L
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JMSL0620AGE datasheet
jmsl0620age.pdf
JMSL0620AGE 60V 16m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Low ON Resistance, RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 31 A ESD-enhanced Gate Pin @ HBM Class-2 of 1.1kV Typical RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 16.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 23 m Pb-free Lead Plating, Hal
jmsl0620ageq.pdf
JMSL0620AGEQ 60V 16m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Low ON Resistance, RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 32 A ESD-enhanced Gate Pin @ HBM Class-2 of 1.1kV Typical RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 16.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 23 m Pb-free Lead Plating, Ha
jmsl0620agdeq.pdf
JMSL0620AGDEQ 60V 18m Dual N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Low ON Resistance, RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 23 A ESD-enhanced Gate Pin @ HBM Class-2 of 1.1kV Typical RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 18.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 25 m Pb-free Lead Plati
jmsl0620agde.pdf
JMSL0620AGDE 60V 18m Dual N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Low ON Resistance, RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 23 A ESD-enhanced Gate Pin @ HBM Class-2 of 1.1kV Typical RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 18.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 25 m Pb-free Lead Platin
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Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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