JMSL0620AUE Todos los transistores

 

JMSL0620AUE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSL0620AUE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 23 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 143 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3-8L
 

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JMSL0620AUE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:379K  jiejie micro
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JMSL0620AUE

JMSL0620AUE60V 16mN-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Low ON-resistance, RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 24 A ESD-enhanced Gate Pin @ HBM Class-2 of 1.1kV Typical RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)16.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)23 m Pb-free Lead Plating

 5.1. Size:305K  jiejie micro
 jmsl0620agdeq.pdf pdf_icon

JMSL0620AUE

JMSL0620AGDEQ60V 18m Dual N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Low ON Resistance, RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 23 A ESD-enhanced Gate Pin @ HBM Class-2 of 1.1kV Typical RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)18.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)25 m Pb-free Lead Plati

 5.2. Size:400K  jiejie micro
 jmsl0620age.pdf pdf_icon

JMSL0620AUE

JMSL0620AGE60V 16m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Low ON Resistance, RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 31 A ESD-enhanced Gate Pin @ HBM Class-2 of 1.1kV Typical RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)16.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)23 m Pb-free Lead Plating, Hal

 5.3. Size:400K  jiejie micro
 jmsl0620ageq.pdf pdf_icon

JMSL0620AUE

JMSL0620AGEQ60V 16m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Low ON Resistance, RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 32 A ESD-enhanced Gate Pin @ HBM Class-2 of 1.1kV Typical RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)16.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)23 m Pb-free Lead Plating, Ha

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