JMSL0620AUE - аналоги и даташиты транзистора

 

JMSL0620AUE - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: JMSL0620AUE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 143 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3-8L
 

 Аналог (замена) для JMSL0620AUE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL0620AUE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:379K  jiejie micro
 jmsl0620aue.pdf pdf_icon

JMSL0620AUE

JMSL0620AUE60V 16mN-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Low ON-resistance, RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 24 A ESD-enhanced Gate Pin @ HBM Class-2 of 1.1kV Typical RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)16.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)23 m Pb-free Lead Plating

 5.1. Size:305K  jiejie micro
 jmsl0620agdeq.pdf pdf_icon

JMSL0620AUE

JMSL0620AGDEQ60V 18m Dual N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Low ON Resistance, RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 23 A ESD-enhanced Gate Pin @ HBM Class-2 of 1.1kV Typical RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)18.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)25 m Pb-free Lead Plati

 5.2. Size:400K  jiejie micro
 jmsl0620age.pdf pdf_icon

JMSL0620AUE

JMSL0620AGE60V 16m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Low ON Resistance, RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 31 A ESD-enhanced Gate Pin @ HBM Class-2 of 1.1kV Typical RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)16.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)23 m Pb-free Lead Plating, Hal

 5.3. Size:400K  jiejie micro
 jmsl0620ageq.pdf pdf_icon

JMSL0620AUE

JMSL0620AGEQ60V 16m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Low ON Resistance, RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 32 A ESD-enhanced Gate Pin @ HBM Class-2 of 1.1kV Typical RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)16.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)23 m Pb-free Lead Plating, Ha

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMSL0615APD , JMSL0615AUD , JMSL0615AV , JMSL0615PGDQ , JMSL0620AGDE , JMSL0620AGDEQ , JMSL0620AGE , JMSL0620AGEQ , 60N06 , JMSL0630AG , JMSL0630AGD , JMSL0630AU , JMSL0803MG , JMSL1070AK , JMSL1070APD , JMSL1070AY , JMSL1070PY .

 

 
Back to Top

 


 
.