JMSL0630AGD Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMSL0630AGD  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 62 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 92 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6-8L-D

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de JMSL0630AGD MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

JMSL0630AGD datasheet

 ..1. Size:386K  jiejie micro
jmsl0630agd.pdf pdf_icon

JMSL0630AGD

JMSL0630AGD 60V 22m Dual N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th) 1.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 23 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 22 m RDS(ON) (@ VGS = 4.5V) 28 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment in

 4.1. Size:383K  jiejie micro
jmsl0630ag.pdf pdf_icon

JMSL0630AGD

JMSL0630AG 60V 22m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th) 1.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 25 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 22 m RDS(ON) (@ VGS = 4.5V) 28 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment in Telecom.,

 5.1. Size:378K  jiejie micro
jmsl0630au.pdf pdf_icon

JMSL0630AGD

JMSL0630AU 60V 22m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th) 1.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 20 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 22 m RDS(ON) (@ VGS = 4.5V) 30 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment in Telecom.,

 8.1. Size:277K  1
jmsl0606ag.pdf pdf_icon

JMSL0630AGD

JMSL0606AG 60V 4.0m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.8 V High Current Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 97 A RDS(ON)_Typ(@ VGS = 10V) 4.0 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON) _Typ(@ VGS = 4.5V) 5.2 m Applications Power Managerment in Telecom., Industrial

Otros transistores... JMSL0615AV, JMSL0615PGDQ, JMSL0620AGDE, JMSL0620AGDEQ, JMSL0620AGE, JMSL0620AGEQ, JMSL0620AUE, JMSL0630AG, FTP08N06A, JMSL0630AU, JMSL0803MG, JMSL1070AK, JMSL1070APD, JMSL1070AY, JMSL1070PY, JMSL10A13G, JMSL10A13GD