Справочник MOSFET. JMSL0630AGD

 

JMSL0630AGD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMSL0630AGD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L-D
 

 Аналог (замена) для JMSL0630AGD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL0630AGD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:386K  jiejie micro
jmsl0630agd.pdfpdf_icon

JMSL0630AGD

JMSL0630AGD60V 22m Dual N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Low RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)1.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 23 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 22 m RDS(ON) (@ VGS = 4.5V)28 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment in

 4.1. Size:383K  jiejie micro
jmsl0630ag.pdfpdf_icon

JMSL0630AGD

JMSL0630AG60V 22m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Low RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)1.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 25 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 22 m RDS(ON) (@ VGS = 4.5V)28 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment in Telecom.,

 5.1. Size:378K  jiejie micro
jmsl0630au.pdfpdf_icon

JMSL0630AGD

JMSL0630AU60V 22m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Low RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)1.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 20 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 22 m RDS(ON) (@ VGS = 4.5V)30 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment in Telecom.,

 8.1. Size:277K  1
jmsl0606ag.pdfpdf_icon

JMSL0630AGD

JMSL0606AG60V 4.0m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.8 V High Current Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 97 A RDS(ON)_Typ(@ VGS = 10V)4.0 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON) _Typ(@ VGS = 4.5V)5.2 mApplications Power Managerment in Telecom., Industrial

Другие MOSFET... JMSL0615AV , JMSL0615PGDQ , JMSL0620AGDE , JMSL0620AGDEQ , JMSL0620AGE , JMSL0620AGEQ , JMSL0620AUE , JMSL0630AG , IRF1405 , JMSL0630AU , JMSL0803MG , , , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.