JMSL0803MG Todos los transistores

 

JMSL0803MG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSL0803MG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 124 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 137 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1318 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0034 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
 

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JMSL0803MG datasheet

 ..1. Size:1191K  jiejie micro
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JMSL0803MG

80V, 137A, 2.4m N-channel Power SGT MOSFET JMSL0803MG Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 80 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 137 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.4 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S PDFN

 9.1. Size:276K  1
jmsl0302au.pdf pdf_icon

JMSL0803MG

JMSL0302AU 30V 1.2m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 30 V High Current Capability VGS(th)_Typ 1.7 V ESD Enhanced to HBM Rating up to 1.5kV ID (@ VGS = 10V) (1) 145 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1.2 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 2.0 m Applications Power Management i

 9.2. Size:236K  1
jmsl0302ag.pdf pdf_icon

JMSL0803MG

JMSL0302AG 30V 1.3m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 30 V High Current Capability VGS(th) 1.7 V ESD Enhanced to HBM Rating up to 1.5kV ID (@ VGS = 10V) (1) 178 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON) (@ VGS = 10V) 1.3 m RDS(ON) (@ VGS = 4.5V) 2.0 m Applications Power Management in Computing,

 9.3. Size:289K  1
jmsl0406ag.pdf pdf_icon

JMSL0803MG

JMSL0406AG 40V 4.2m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 40 V Low Gate Charge VGS(th) 1.7 V High Current Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 70 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON) (@ VGS = 10V) 4.2 m Applications Power Management in Computing, CE, IE 4.0, Communications Current Switching in DC/DC

Otros transistores... JMSL0620AGDE , JMSL0620AGDEQ , JMSL0620AGE , JMSL0620AGEQ , JMSL0620AUE , JMSL0630AG , JMSL0630AGD , JMSL0630AU , IRF9640 , JMSL1070AK , JMSL1070APD , JMSL1070AY , JMSL1070PY , JMSL10A13G , JMSL10A13GD , JMTG016N04A , JMTG018N03A .

History: SUP75N08-10 | 2SK2610

 

 
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