JMSL0803MG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSL0803MG  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 124 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 137 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1318 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMSL0803MG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL0803MG даташит

 ..1. Size:1191K  jiejie micro
jmsl0803mg.pdfpdf_icon

JMSL0803MG

80V, 137A, 2.4m N-channel Power SGT MOSFET JMSL0803MG Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 80 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 137 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.4 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S PDFN

 9.1. Size:276K  1
jmsl0302au.pdfpdf_icon

JMSL0803MG

JMSL0302AU 30V 1.2m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 30 V High Current Capability VGS(th)_Typ 1.7 V ESD Enhanced to HBM Rating up to 1.5kV ID (@ VGS = 10V) (1) 145 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1.2 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 2.0 m Applications Power Management i

 9.2. Size:236K  1
jmsl0302ag.pdfpdf_icon

JMSL0803MG

JMSL0302AG 30V 1.3m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 30 V High Current Capability VGS(th) 1.7 V ESD Enhanced to HBM Rating up to 1.5kV ID (@ VGS = 10V) (1) 178 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON) (@ VGS = 10V) 1.3 m RDS(ON) (@ VGS = 4.5V) 2.0 m Applications Power Management in Computing,

 9.3. Size:289K  1
jmsl0406ag.pdfpdf_icon

JMSL0803MG

JMSL0406AG 40V 4.2m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 40 V Low Gate Charge VGS(th) 1.7 V High Current Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 70 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON) (@ VGS = 10V) 4.2 m Applications Power Management in Computing, CE, IE 4.0, Communications Current Switching in DC/DC

Другие IGBT... JMSL0620AGDE, JMSL0620AGDEQ, JMSL0620AGE, JMSL0620AGEQ, JMSL0620AUE, JMSL0630AG, JMSL0630AGD, JMSL0630AU, 8N60, JMSL1070AK, JMSL1070APD, JMSL1070AY, JMSL1070PY, JMSL10A13G, JMSL10A13GD, JMTG016N04A, JMTG018N03A