Справочник MOSFET. JMSL0803MG

 

JMSL0803MG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMSL0803MG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 124 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 137 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1318 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для JMSL0803MG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL0803MG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1191K  jiejie micro
jmsl0803mg.pdfpdf_icon

JMSL0803MG

80V, 137A, 2.4m N-channel Power SGT MOSFETJMSL0803MGProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 80 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 137 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.4 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG SPDFN

 9.1. Size:276K  1
jmsl0302au.pdfpdf_icon

JMSL0803MG

JMSL0302AU30V 1.2m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS30 V High Current Capability VGS(th)_Typ1.7 V ESD Enhanced to HBM Rating up to 1.5kV ID (@ VGS = 10V) (1) 145 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.2 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)2.0 mApplications Power Management i

 9.2. Size:236K  1
jmsl0302ag.pdfpdf_icon

JMSL0803MG

JMSL0302AG30V 1.3m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS30 V High Current Capability VGS(th)1.7 V ESD Enhanced to HBM Rating up to 1.5kV ID (@ VGS = 10V) (1) 178 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON) (@ VGS = 10V)1.3 m RDS(ON) (@ VGS = 4.5V)2.0 mApplications Power Management in Computing,

 9.3. Size:289K  1
jmsl0406ag.pdfpdf_icon

JMSL0803MG

JMSL0406AG40V 4.2m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS40 V Low Gate Charge VGS(th)1.7 V High Current Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 70 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON) (@ VGS = 10V)4.2 mApplications Power Management in Computing, CE, IE 4.0, Communications Current Switching in DC/DC

Другие MOSFET... JMSL0620AGDE , JMSL0620AGDEQ , JMSL0620AGE , JMSL0620AGEQ , JMSL0620AUE , JMSL0630AG , JMSL0630AGD , JMSL0630AU , AON7403 , , , , , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.