JMSL0803MG - описание и поиск аналогов

 

Аналоги JMSL0803MG. Основные параметры


   Наименование производителя: JMSL0803MG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 124 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 137 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1318 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для JMSL0803MG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL0803MG даташит

 ..1. Size:1191K  jiejie micro
jmsl0803mg.pdfpdf_icon

JMSL0803MG

80V, 137A, 2.4m N-channel Power SGT MOSFET JMSL0803MG Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 80 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 137 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.4 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S PDFN

 9.1. Size:276K  1
jmsl0302au.pdfpdf_icon

JMSL0803MG

JMSL0302AU 30V 1.2m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 30 V High Current Capability VGS(th)_Typ 1.7 V ESD Enhanced to HBM Rating up to 1.5kV ID (@ VGS = 10V) (1) 145 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1.2 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 2.0 m Applications Power Management i

 9.2. Size:236K  1
jmsl0302ag.pdfpdf_icon

JMSL0803MG

JMSL0302AG 30V 1.3m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 30 V High Current Capability VGS(th) 1.7 V ESD Enhanced to HBM Rating up to 1.5kV ID (@ VGS = 10V) (1) 178 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON) (@ VGS = 10V) 1.3 m RDS(ON) (@ VGS = 4.5V) 2.0 m Applications Power Management in Computing,

 9.3. Size:289K  1
jmsl0406ag.pdfpdf_icon

JMSL0803MG

JMSL0406AG 40V 4.2m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 40 V Low Gate Charge VGS(th) 1.7 V High Current Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 70 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON) (@ VGS = 10V) 4.2 m Applications Power Management in Computing, CE, IE 4.0, Communications Current Switching in DC/DC

Другие MOSFET... JMSL0620AGDE , JMSL0620AGDEQ , JMSL0620AGE , JMSL0620AGEQ , JMSL0620AUE , JMSL0630AG , JMSL0630AGD , JMSL0630AU , IRF9640 , JMSL1070AK , JMSL1070APD , JMSL1070AY , JMSL1070PY , JMSL10A13G , JMSL10A13GD , JMTG016N04A , JMTG018N03A .

History: JMTK90N02A | APG40N10D

 

 
Back to Top

 


 
.