JMSL1006AGQ Todos los transistores

 

JMSL1006AGQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSL1006AGQ
   Código: SL1006A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 42 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 17.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 567 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0059 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
 

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JMSL1006AGQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:325K  jiejie micro
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JMSL1006AGQ

JMSL1006AGQ100V 4.7m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 110 A RDS(ON) (@ VGS = 10V)4.7 m Pb-free Lead Plating RDS(ON) (@ VGS = 4.5V)5.9 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified

 4.1. Size:308K  jiejie micro
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JMSL1006AGQ

JMSL1006AG100V 4.7m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)1.9 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 108 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 4.7 m RDS(ON) (@ VGS = 4.5V)5.9 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managermen

 5.1. Size:323K  jiejie micro
 jmsl1006ak.pdf pdf_icon

JMSL1006AGQ

JMSL1006AK100V 5.4m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 99 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)5.4 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)6.6 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power

 6.1. Size:1241K  jiejie micro
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JMSL1006AGQ

100V, 109A, 6.4m N-channel Power SGT MOSFETJMSL1006PGSProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 100 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.7 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 109 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.4 mWApplications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 6.4 mW Load Switch PWM Application

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