JMSL1006AGQ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSL1006AGQ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 567 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0059 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMSL1006AGQ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL1006AGQ даташит

 ..1. Size:325K  jiejie micro
 jmsl1006agq.pdf pdf_icon

JMSL1006AGQ

JMSL1006AGQ 100V 4.7m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th) 1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 110 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) 4.7 m Pb-free Lead Plating RDS(ON) (@ VGS = 4.5V) 5.9 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified

 4.1. Size:308K  jiejie micro
 jmsl1006ag.pdf pdf_icon

JMSL1006AGQ

JMSL1006AG 100V 4.7m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th) 1.9 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 108 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 4.7 m RDS(ON) (@ VGS = 4.5V) 5.9 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managermen

 5.1. Size:323K  jiejie micro
 jmsl1006ak.pdf pdf_icon

JMSL1006AGQ

JMSL1006AK 100V 5.4m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 99 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 5.4 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 6.6 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power

 6.1. Size:1241K  jiejie micro
 jmsl1006pgs.pdf pdf_icon

JMSL1006AGQ

100V, 109A, 6.4m N-channel Power SGT MOSFET JMSL1006PGS Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.7 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 109 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.4 mW Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 6.4 mW Load Switch PWM Application

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMTG055N04A, JMTG060N06A, JMSL1004BG, JMSL1004RG, JMSL1005PC, JMSL1005PG, JMSL1005PK, JMSL1006AG, IRFP460, JMSL1006AK, JMSL1006PG, JMSL1006PGQ, JMSL1006PGS, JMSL1008AC, JMSL1008AE, JMSL1008AG, JMSL1008AGQ