JMTG060P03A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTG060P03A  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 111 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 687 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0054 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6-8L

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JMTG060P03A datasheet

 ..1. Size:1356K  jiejie micro
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JMTG060P03A

-30V, -111A, 5.8m P-channel Power Trench MOSFET JMTG060P03A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS -30 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ -1.8 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=-10V) -111 A RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 3.8 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 5.8 mW Applications Load Switch PWM Applicat

 7.1. Size:404K  jiejie micro
jmtg060n06a.pdf pdf_icon

JMTG060P03A

JMTG060N06A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 60V,90 A Load Switch R

 8.1. Size:727K  jiejie micro
jmtg062n04d.pdf pdf_icon

JMTG060P03A

JMTG062N04D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 55A Load Switch RDS(ON)

 9.1. Size:575K  1
jmtg040n03a.pdf pdf_icon

JMTG060P03A

JMTG040N03A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 30V, 80A Load Switch R

Otros transistores... JMSL1006AK, JMSL1006PG, JMSL1006PGQ, JMSL1006PGS, JMSL1008AC, JMSL1008AE, JMSL1008AG, JMSL1008AGQ, IRF3710, JMTG062N04D, JMTG070N06A, JMTG075C03D, JMTG080N04D, JMTG080P03A, JMTG100C03D, JMTG100N03A, JMTG100N04A