Справочник MOSFET. JMTG060P03A

 

JMTG060P03A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMTG060P03A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 111 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 687 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0054 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для JMTG060P03A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTG060P03A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1356K  jiejie micro
jmtg060p03a.pdfpdf_icon

JMTG060P03A

-30V, -111A, 5.8m P-channel Power Trench MOSFETJMTG060P03AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TestedVDSS -30 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ -1.8 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=-10V) -111 ARDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 3.8 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 5.8 mWApplications Load Switch PWM Applicat

 7.1. Size:404K  jiejie micro
jmtg060n06a.pdfpdf_icon

JMTG060P03A

JMTG060N06ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application 60V,90 A Load SwitchR

 8.1. Size:727K  jiejie micro
jmtg062n04d.pdfpdf_icon

JMTG060P03A

JMTG062N04DDescriptionJMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 40V, 55A Load SwitchRDS(ON)

 9.1. Size:575K  1
jmtg040n03a.pdfpdf_icon

JMTG060P03A

JMTG040N03A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 30V, 80A Load Switch R

Другие MOSFET... JMSL1006AK , JMSL1006PG , JMSL1006PGQ , JMSL1006PGS , JMSL1008AC , JMSL1008AE , JMSL1008AG , JMSL1008AGQ , IRFB4227 , JMTG062N04D , JMTG070N06A , JMTG075C03D , JMTG080N04D , JMTG080P03A , JMTG100C03D , JMTG100N03A , JMTG100N04A .

 

 
Back to Top

 


 
.