JMTG060P03A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTG060P03A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 111 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 687 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0054 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMTG060P03A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTG060P03A даташит

 ..1. Size:1356K  jiejie micro
jmtg060p03a.pdfpdf_icon

JMTG060P03A

-30V, -111A, 5.8m P-channel Power Trench MOSFET JMTG060P03A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS -30 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ -1.8 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=-10V) -111 A RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 3.8 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 5.8 mW Applications Load Switch PWM Applicat

 7.1. Size:404K  jiejie micro
jmtg060n06a.pdfpdf_icon

JMTG060P03A

JMTG060N06A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 60V,90 A Load Switch R

 8.1. Size:727K  jiejie micro
jmtg062n04d.pdfpdf_icon

JMTG060P03A

JMTG062N04D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 55A Load Switch RDS(ON)

 9.1. Size:575K  1
jmtg040n03a.pdfpdf_icon

JMTG060P03A

JMTG040N03A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 30V, 80A Load Switch R

Другие IGBT... JMSL1006AK, JMSL1006PG, JMSL1006PGQ, JMSL1006PGS, JMSL1008AC, JMSL1008AE, JMSL1008AG, JMSL1008AGQ, IRF3710, JMTG062N04D, JMTG070N06A, JMTG075C03D, JMTG080N04D, JMTG080P03A, JMTG100C03D, JMTG100N03A, JMTG100N04A