JMTG100N06D Todos los transistores

 

JMTG100N06D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTG100N06D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 69 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 186 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0129 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L-D
 

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JMTG100N06D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1303K  jiejie micro
 jmtg100n06d.pdf pdf_icon

JMTG100N06D

60V, 33A, 11.7m Dual N-channel Power Trench MOSFETJMTG100N06DProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TestedVDSS 60 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.5 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 33 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 10.4 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 11.7 mWApplications Load Switch PWM Applicatio

 4.1. Size:1285K  jiejie micro
 jmtg100n06a.pdf pdf_icon

JMTG100N06D

60V, 55A, 8.9m N-channel Power Trench MOSFETJMTG100N06AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TESTEDVDSS 60 V 100% Vds TESTEDVGS(th)_Typ 1.5 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 55 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 7.7 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 8.9 mWApplications Load Switch

 5.1. Size:628K  jiejie micro
 jmtg100n03a.pdf pdf_icon

JMTG100N06D

JMTG100N03ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 30V, 30A Load SwitchRDS(ON)

 5.2. Size:626K  jiejie micro
 jmtg100n04a.pdf pdf_icon

JMTG100N06D

JMTG100N04ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 40V, 40A Load SwitchRDS(ON)

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History: JMPC840BJ | JMTG062N04D | JMTG100P03A | JMPC5N50BJ

 

 
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