JMTG100P03A Todos los transistores

 

JMTG100P03A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTG100P03A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 89 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 62 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 397 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
 

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JMTG100P03A datasheet

 ..1. Size:1300K  jiejie micro
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JMTG100P03A

-30V,-45A, 9.3m P-channel Power Trench MOSFET JMTG100P03A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS -30 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ -1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=-10V) -45 A RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 6.5 mW Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 9.3 mW Load Switch PWM Applica

 7.1. Size:628K  jiejie micro
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JMTG100P03A

JMTG100N03A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 30A Load Switch RDS(ON)

 7.2. Size:1285K  jiejie micro
 jmtg100n06a.pdf pdf_icon

JMTG100P03A

60V, 55A, 8.9m N-channel Power Trench MOSFET JMTG100N06A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 60 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 1.5 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 55 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 7.7 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 8.9 mW Applications Load Switch

 7.3. Size:626K  jiejie micro
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JMTG100P03A

JMTG100N04A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 40A Load Switch RDS(ON)

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