JMSL1008PGQ Todos los transistores

 

JMSL1008PGQ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSL1008PGQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 92 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 419 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0088 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
 

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JMSL1008PGQ datasheet

 ..1. Size:1195K  jiejie micro
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JMSL1008PGQ

100V, 92A, 8.3m N-channel Power SGT MOSFET JMSL1008PGQ Product Summary Features Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameters Value Unit Low Gate Charge VDSS 100 V 100% UIS Tested VGS(th)_Typ 1.8 V 100% Vds Tested ID(@VGS=10V) 92 A Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 6.8 mW AEC-Q101 Qualified RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 8.3 mW Applications

 6.1. Size:301K  jiejie micro
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JMSL1008PGQ

JMSL1008AGQ 100V 6.0m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 88 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 6.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 8.0 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101

 6.2. Size:289K  jiejie micro
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JMSL1008PGQ

JMSL1008AG 100V 6.0m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th) 1.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 93 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) 6.0 Pb-free Lead Plating m RDS(ON) (@ VGS = 4.5V) 8.0 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment

 6.3. Size:325K  jiejie micro
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JMSL1008PGQ

JMSL1008AK 100V 6.7m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 82 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 6.7 m Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 8.5 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Pow

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History: JMTG100P03A | JMSL1009BUQ

 

 
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