JMSL1008PGQ - описание и поиск аналогов

 

Аналоги JMSL1008PGQ. Основные параметры


   Наименование производителя: JMSL1008PGQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 92 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 419 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0088 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для JMSL1008PGQ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL1008PGQ даташит

 ..1. Size:1195K  jiejie micro
 jmsl1008pgq.pdf pdf_icon

JMSL1008PGQ

100V, 92A, 8.3m N-channel Power SGT MOSFET JMSL1008PGQ Product Summary Features Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameters Value Unit Low Gate Charge VDSS 100 V 100% UIS Tested VGS(th)_Typ 1.8 V 100% Vds Tested ID(@VGS=10V) 92 A Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 6.8 mW AEC-Q101 Qualified RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 8.3 mW Applications

 6.1. Size:301K  jiejie micro
 jmsl1008agq.pdf pdf_icon

JMSL1008PGQ

JMSL1008AGQ 100V 6.0m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 88 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 6.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 8.0 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101

 6.2. Size:289K  jiejie micro
 jmsl1008ag.pdf pdf_icon

JMSL1008PGQ

JMSL1008AG 100V 6.0m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th) 1.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 93 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) 6.0 Pb-free Lead Plating m RDS(ON) (@ VGS = 4.5V) 8.0 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment

 6.3. Size:325K  jiejie micro
 jmsl1008ak.pdf pdf_icon

JMSL1008PGQ

JMSL1008AK 100V 6.7m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 82 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 6.7 m Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 8.5 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Pow

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMTG100N04A , JMTG100N06A , JMTG100N06D , JMTG100P03A , JMSL1008AK , JMSL1008AKQ , JMSL1008AP , JMSL1008MKQ , IRLB4132 , JMSL1009AG , JMSL1009AGQ , JMSL1009AK , JMSL1009AKQ , JMSL1009AU , JMSL1009BUQ , JMSL1018AGD , JMSL1018AGQ .

History: JMTG050P03A | JMTG100N06D | DH100P28B | AOT20C60 | JMTG062N04D | JMTG28DN10D | JMTG100N04A

 

 
Back to Top

 


 
.