JMSL1008PGQ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSL1008PGQ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 92 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 419 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0088 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMSL1008PGQ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL1008PGQ даташит

 ..1. Size:1195K  jiejie micro
 jmsl1008pgq.pdf pdf_icon

JMSL1008PGQ

100V, 92A, 8.3m N-channel Power SGT MOSFET JMSL1008PGQ Product Summary Features Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameters Value Unit Low Gate Charge VDSS 100 V 100% UIS Tested VGS(th)_Typ 1.8 V 100% Vds Tested ID(@VGS=10V) 92 A Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 6.8 mW AEC-Q101 Qualified RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 8.3 mW Applications

 6.1. Size:301K  jiejie micro
 jmsl1008agq.pdf pdf_icon

JMSL1008PGQ

JMSL1008AGQ 100V 6.0m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 88 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 6.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 8.0 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101

 6.2. Size:289K  jiejie micro
 jmsl1008ag.pdf pdf_icon

JMSL1008PGQ

JMSL1008AG 100V 6.0m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th) 1.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 93 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) 6.0 Pb-free Lead Plating m RDS(ON) (@ VGS = 4.5V) 8.0 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment

 6.3. Size:325K  jiejie micro
 jmsl1008ak.pdf pdf_icon

JMSL1008PGQ

JMSL1008AK 100V 6.7m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 82 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 6.7 m Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 8.5 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Pow

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMTG100N04A, JMTG100N06A, JMTG100N06D, JMTG100P03A, JMSL1008AK, JMSL1008AKQ, JMSL1008AP, JMSL1008MKQ, 2SK3878, JMSL1009AG, JMSL1009AGQ, JMSL1009AK, JMSL1009AKQ, JMSL1009AU, JMSL1009BUQ, JMSL1018AGD, JMSL1018AGQ