JMSL1009AGQ Todos los transistores

 

JMSL1009AGQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSL1009AGQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 108 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 53 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 548 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0082 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
 

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JMSL1009AGQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:402K  jiejie micro
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JMSL1009AGQ

JMSL1009AGQ100V 7.0m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 80 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)7.0 m Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)8.9 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q10

 4.1. Size:394K  jiejie micro
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JMSL1009AGQ

JMSL1009AG100V 7.0m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultralow ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 77 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)7.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)8.9 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications

 5.1. Size:392K  jiejie micro
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JMSL1009AGQ

JMSL1009AKQ100V 7.8m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 81 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)7.8 m Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)9.9 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q10

 5.2. Size:391K  jiejie micro
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JMSL1009AGQ

JMSL1009AU100V 7.6m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultralow ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 67 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)7.6 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)9.7 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications

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