JMSL1009AGQ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSL1009AGQ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 108 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 548 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0082 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMSL1009AGQ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL1009AGQ даташит

 ..1. Size:402K  jiejie micro
 jmsl1009agq.pdf pdf_icon

JMSL1009AGQ

JMSL1009AGQ 100V 7.0m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 80 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 7.0 m Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 8.9 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q10

 4.1. Size:394K  jiejie micro
 jmsl1009ag.pdf pdf_icon

JMSL1009AGQ

JMSL1009AG 100V 7.0m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 77 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 7.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 8.9 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications

 5.1. Size:392K  jiejie micro
 jmsl1009akq.pdf pdf_icon

JMSL1009AGQ

JMSL1009AKQ 100V 7.8m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 81 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 7.8 m Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 9.9 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q10

 5.2. Size:391K  jiejie micro
 jmsl1009au.pdf pdf_icon

JMSL1009AGQ

JMSL1009AU 100V 7.6m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 67 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 7.6 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 9.7 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMTG100N06D, JMTG100P03A, JMSL1008AK, JMSL1008AKQ, JMSL1008AP, JMSL1008MKQ, JMSL1008PGQ, JMSL1009AG, 2SK3568, JMSL1009AK, JMSL1009AKQ, JMSL1009AU, JMSL1009BUQ, JMSL1018AGD, JMSL1018AGQ, JMSL1040AC, JMSL1040AE