JMSL1009BUQ Todos los transistores

 

JMSL1009BUQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSL1009BUQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 108 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 76 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 53 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 548 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0092 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3-8L
 

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JMSL1009BUQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:355K  jiejie micro
jmsl1009buq.pdf pdf_icon

JMSL1009BUQ

JMSL1009BUQ100V 7.7m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 76 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)7.7 m Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)10.0 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q1

 6.1. Size:392K  jiejie micro
jmsl1009akq.pdf pdf_icon

JMSL1009BUQ

JMSL1009AKQ100V 7.8m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 81 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)7.8 m Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)9.9 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q10

 6.2. Size:1311K  jiejie micro
jmsl1009pun.pdf pdf_icon

JMSL1009BUQ

100V, 45A, 7.5m N-channel Power SGT MOSFETJMSL1009PUNProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 100 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.7 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 45 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 6.1 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 7.5 mWApplications Load Switch P

 6.3. Size:1233K  jiejie micro
jmsl1009pp.pdf pdf_icon

JMSL1009BUQ

100V, 12A, 9.2m N-channel Power SGT MOSFETJMSL1009PPProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 100 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 12 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 7.6 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 9.2 mWApplications Load Switch PW

Otros transistores... JMSL1008AP , JMSL1008MKQ , JMSL1008PGQ , JMSL1009AG , JMSL1009AGQ , JMSL1009AK , JMSL1009AKQ , JMSL1009AU , IRF9540N , JMSL1018AGD , JMSL1018AGQ , , , , , , .

History: JMSL1008PGQ

 

 
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