JMSL1009BUQ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSL1009BUQ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 108 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 76 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 548 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0092 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMSL1009BUQ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL1009BUQ даташит

 ..1. Size:355K  jiejie micro
jmsl1009buq.pdfpdf_icon

JMSL1009BUQ

JMSL1009BUQ 100V 7.7m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 76 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 7.7 m Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 10.0 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q1

 6.1. Size:392K  jiejie micro
jmsl1009akq.pdfpdf_icon

JMSL1009BUQ

JMSL1009AKQ 100V 7.8m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 81 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 7.8 m Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 9.9 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q10

 6.2. Size:1311K  jiejie micro
jmsl1009pun.pdfpdf_icon

JMSL1009BUQ

100V, 45A, 7.5m N-channel Power SGT MOSFET JMSL1009PUN Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.7 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 45 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 6.1 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 7.5 mW Applications Load Switch P

 6.3. Size:1233K  jiejie micro
jmsl1009pp.pdfpdf_icon

JMSL1009BUQ

100V, 12A, 9.2m N-channel Power SGT MOSFET JMSL1009PP Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 12 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 7.6 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 9.2 mW Applications Load Switch PW

Другие IGBT... JMSL1008AP, JMSL1008MKQ, JMSL1008PGQ, JMSL1009AG, JMSL1009AGQ, JMSL1009AK, JMSL1009AKQ, JMSL1009AU, IRLB4132, JMSL1018AGD, JMSL1018AGQ, JMSL1040AC, JMSL1040AE, JMSL1040AG, JMSL1040AGD, JMSL1040AGDQ, JMSL1040AGQ