JMSL1040PGQ Todos los transistores

 

JMSL1040PGQ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMSL1040PGQ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 94 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 117 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.031 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6-8L

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JMSL1040PGQ datasheet

 ..1. Size:1228K  jiejie micro
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JMSL1040PGQ

100V, 35A, 30m N-channel Power SGT MOSFET JMSL1040PGQ Product Summary Features Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameters Value Unit Low Gate Charge VDSS 100 V 100% UIS Tested VGS(th)_Typ 1.8 V 100% Vds Tested ID(@VGS=10V) 35 A Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 24 mW AEC-Q101 Qualified RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 30 mW Applications Lo

 4.1. Size:758K  jiejie micro
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JMSL1040PGQ

100V, 18A, 36m Dual N-channel Power SGT MOSFET JMSL1040PGDQ Product Summary Features Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameters Value Unit Low Gate Charge VDSS 100 V 100% UIS Tested VGS(th)_Typ 1.8 V 100% Vds Tested ID(@VGS=10V) 18 A Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 29 m RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 36 m AEC-Q101 Qualified Application

 6.1. Size:377K  jiejie micro
jmsl1040agq.pdf pdf_icon

JMSL1040PGQ

JMSL1040AGQ 100V 29m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 27 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 29 m Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 39 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualifi

 6.2. Size:407K  jiejie micro
jmsl1040auq.pdf pdf_icon

JMSL1040PGQ

JMSL1040AUQ 100V 29m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 20 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 29 m Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 39 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualifi

Otros transistores... JMSL1040APD , JMSL1040AU , JMSL1040AUD , JMSL1040AUQ , JMSL1040AV , JMSL1040AVQ , JMSL1040AY , JMSL1040PGDQ , 4N60 , JVE101N , JVE102G , JVE102T , JVE103T , JVL101N , JVL102E , JVL102T , JVL102Y .

 

 

 


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