JVC105E Todos los transistores

 

JVC105E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JVC105E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 178 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 135 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 592 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0053 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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JVC105E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1124K  jiejie micro
 jvc105e.pdf pdf_icon

JVC105E

JVC105E100V 4.5mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th) 3.0 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 135 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) 4.5 mW Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliantApplications Motor Driving in Power Tool, E-vehicle, Robotics Curr

 9.1. Size:1260K  jiejie micro
 jvc103k.pdf pdf_icon

JVC105E

100V, 169A, 3.2m N-channel Power SGT MOSFETJVC103KProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 100 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 169 AApplicationsRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.2 mW Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO-22

 9.2. Size:615K  jiejie micro
 jvc103t.pdf pdf_icon

JVC105E

JVC103T100V 3.2mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ3.2 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 100% UIS Tested, 100% RgTested ID (@ VGS = 10V) (1) 197 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 3.2 mW

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