24N6LG Todos los transistores

 

24N6LG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 24N6LG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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24N6LG Datasheet (PDF)

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24N6LG-VB TO252www.VBsemi.comDisclaimerAll products due to improve reliability, function or design or for other reasons, product specifications anddata are subject to change without notice.Taiwan VBsemi Electronics Co., Ltd., branches, agents, employees, and all persons acting on its or theirrepresentatives (collectively, the "Taiwan VBsemi"), assumes no responsibility for an

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History: JVC502E | WMJ36N60C4 | SLF65R380E7C | SLF65R280E7C | SLF70R280E7C | SLF65R1K2E7 | SLD07RN10G

 

 
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