SLF8N65SV Todos los transistores

 

SLF8N65SV MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SLF8N65SV

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 51 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 155 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 86 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.35 Ohm

Encapsulados: TO220F

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SLF8N65SV datasheet

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SLF8N65SV

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SLF8N65SV

SLP8N65C/SLF8N65C 650V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Maple semi s - 7.5A, 650V, RDS(on) typ. = 1.2 @VGS = 10 V advanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 29nC) This advanced technology has been especially tailored - High ruggedness to minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switching p

 8.1. Size:303K  maple semi
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SLF8N65SV

SLP8N60C / SLF8N60C 600V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Maple semi s - 7.5A, 600V, RDS(on) typ. = 1.0 @VGS = 10 V advanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 29nC) This advanced technology has been especially tailored to - High ruggedness minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switching

Otros transistores... SLF65R180E7C , SLF65R1K2E7 , SLF65R280E7C , SLF65R380E7C , SLF65R600E7C , SLF70R280E7C , SLF70R380E7C , SLF80R830GT , IRF740 , SLM120N06G , SLM150N04G , SLM160N04G , SLP65R180E7C , SLP65R1K2E7 , SLP65R380E7C , SLP730S , SLT65R180E7C .

History: NTD4909N | AOK22N50L | SPB80N06S2-05

 

 

 

 

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