SLM120N06G Todos los transistores

 

SLM120N06G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SLM120N06G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 770 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0032 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6

 Búsqueda de reemplazo de SLM120N06G MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SLM120N06G datasheet

 ..1. Size:738K  maple semi
slm120n06g.pdf pdf_icon

SLM120N06G

SLM120N06G 60V N -Channel MOSFET General Description Features - N-Channel 60V 120A This Power MOSFET is produced using Msemitek s RDS(on)Typ=2.6m @VGS = 10 V advanced Shielded Gate Trench MOSFET technology. - Very Low On-resistance RDS(ON) This advanced technology has been especially tailored - Low Crss to minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast swit

Otros transistores... SLF65R1K2E7 , SLF65R280E7C , SLF65R380E7C , SLF65R600E7C , SLF70R280E7C , SLF70R380E7C , SLF80R830GT , SLF8N65SV , IRF840 , SLM150N04G , SLM160N04G , SLP65R180E7C , SLP65R1K2E7 , SLP65R380E7C , SLP730S , SLT65R180E7C , SLT70R180E7C .

History: DMTH6002LPS | DMT6009LFG

 

 

 

 

↑ Back to Top
.