SLM120N06G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SLM120N06G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 770 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0032 Ohm
Encapsulados: PDFN5X6
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SLM120N06G datasheet
slm120n06g.pdf
SLM120N06G 60V N -Channel MOSFET General Description Features - N-Channel 60V 120A This Power MOSFET is produced using Msemitek s RDS(on)Typ=2.6m @VGS = 10 V advanced Shielded Gate Trench MOSFET technology. - Very Low On-resistance RDS(ON) This advanced technology has been especially tailored - Low Crss to minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast swit
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History: DMTH6002LPS | DMT6009LFG
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Liste
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