SLM120N06G Todos los transistores

 

SLM120N06G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SLM120N06G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 770 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0032 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6
 

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SLM120N06G Datasheet (PDF)

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SLM120N06G

SLM120N06G60V N -Channel MOSFETGeneral DescriptionFeatures- N-Channel: 60V 120AThis Power MOSFET is produced using Msemiteks RDS(on)Typ=2.6m@VGS = 10 Vadvanced Shielded Gate Trench MOSFET technology. - Very Low On-resistance RDS(ON)This advanced technology has been especially tailored - Low Crss to minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast swit

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History: SLP65R1K2E7

 

 
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