SLU4N65U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SLU4N65U
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 108.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 155 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 47 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de SLU4N65U MOSFET
SLU4N65U Datasheet (PDF)
slu4n65u.pdf

SLU4N65U650V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Msemiteks advanced 4A, 650V, RDS(on),typ =2.55planar stripe DMOS technology. This advanced technology Low gate charge (Qg,typ = 12nC)has been especially tailored to minimize conduction loss, pro- Fast switchingvide superior switching performance, and withstand high en-
Otros transistores... SLM150N04G , SLM160N04G , SLP65R180E7C , SLP65R1K2E7 , SLP65R380E7C , SLP730S , SLT65R180E7C , SLT70R180E7C , IRFB4110 , SLD65R280E7C , SLD65R380E7C , SLD65R600E7C , SLD80N02TB , SLD8N50UD , SLD8N65SV , SLD90N02TB , SLD90N03TB .
History: FDD9411-F085 | SLD8N65SV | H7N0312LM | IRF7809 | SLD65R280E7C | IRF7811 | SLT70R180E7C
History: FDD9411-F085 | SLD8N65SV | H7N0312LM | IRF7809 | SLD65R280E7C | IRF7811 | SLT70R180E7C



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP3409MI | AP3407MI | AP3407AI | AP3404BI | AP3401MI | AP3401AI | AP3400MI-L | AP3400DI | AP3400CI | AP3400BI | AP3400AI | AP320N04TLG5 | AP30P10P | AP30P06D | AP30P03DF | AP13P20D
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