SLD90N03TB Todos los transistores

 

SLD90N03TB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SLD90N03TB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 99 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 198 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0048 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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SLD90N03TB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2430K  maple semi
sld90n03tb.pdf pdf_icon

SLD90N03TB

SLD90N03TB30V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Msemiteks - 99A 1), 30V, RDS(on)typ = 3.6m@VGS = 10 V RDS(on)typ = 6.5m@VGS = 4.5Vadvanced TRENCH technology.This advanced technology has been especially tailored to minimize - Very Low On-resistance RDS(ON)- Low Crssconduction loss, provide superior switching performance, and-

 7.1. Size:4807K  maple semi
sld90n02tb.pdf pdf_icon

SLD90N03TB

SLD90N02TB20V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Msemiteks advanced 89.3A, 20V, RDS(on),Typ = 2.8mTRENCH technology. This advanced technology has been es- Low gate charge (Qg,typ = 38nC)pecially tailored to minimize conduction loss, provide superior Fast switchingswitching performance, and withstand high energy pulse in

Otros transistores... SLU4N65U , SLD65R280E7C , SLD65R380E7C , SLD65R600E7C , SLD80N02TB , SLD8N50UD , SLD8N65SV , SLD90N02TB , P55NF06 , SLD95R3K2GTZ , SLE65R1K2E7 , SLF10N65SV , SLF12N65SV , SLF16N65S , SLF95R760GTZ , SLH10RN20T , SLH60R043E7D .

History: SLF95R760GTZ | IXFK40N50Q2 | IRFBC30L | IRFBC30S | BLF6G20-230PRN | BLF6G20-110 | VHM40-06P1

 

 
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