SLH10RN20T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SLH10RN20T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 481 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 142 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 880 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de SLH10RN20T MOSFET
SLH10RN20T Datasheet (PDF)
slh10rn20t.pdf

SLH10RN20T200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Msemiteks advanced 142A, 200V, RDS(on),typ =8.9mTRENCH technology. This advanced technology has been es- Low gate charge (Qg,typ = 239nC)pecially tailored to minimize conduction loss, provide superior Fast switchingswitching performance, and withstand high energy pulse i
Otros transistores... SLD90N02TB , SLD90N03TB , SLD95R3K2GTZ , SLE65R1K2E7 , SLF10N65SV , SLF12N65SV , SLF16N65S , SLF95R760GTZ , IRF9540 , SLH60R043E7D , SLH60R075GTDI , SLH65R180E7C , SLH95R130GTZ , SLI13N50C , MD100N20 , MD20N50 , MD25N50 .
History: IPW60R230P6 | IXFP7N100P | IPZ65R065C7 | IPW80R280P7 | IPP60R120C7 | IPP60R1K4C6 | IPZ65R045C7
History: IPW60R230P6 | IXFP7N100P | IPZ65R065C7 | IPW80R280P7 | IPP60R120C7 | IPP60R1K4C6 | IPZ65R045C7



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP3409MI | AP3407MI | AP3407AI | AP3404BI | AP3401MI | AP3401AI | AP3400MI-L | AP3400DI | AP3400CI | AP3400BI | AP3400AI | AP320N04TLG5 | AP30P10P | AP30P06D | AP30P03DF | AP13P20D
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