SLI13N50C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SLI13N50C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 184 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.48 Ohm
Encapsulados: TO262
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SLI13N50C datasheet
sli13n50c.pdf
SLI13N50C 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Msemitek s advanced planar - 13A, 500V, RDS(on)typ = 0.48 @VGS = 10 V stripe DMOS technology. This advanced technology has been - Low gate charge especially tailored to minimize conduction loss, provide superior - Low Crss - Fast switching switching performance, and withstand high ener
Otros transistores... SLF12N65SV , SLF16N65S , SLF95R760GTZ , SLH10RN20T , SLH60R043E7D , SLH60R075GTDI , SLH65R180E7C , SLH95R130GTZ , 2N7002 , MD100N20 , MD20N50 , MD25N50 , MD50N20 , MD70N10 , MDT30P10D , MDT4N65 , MPF10N65 .
History: FDS2672F085 | AP4800AGM | FDS8880 | RDD020N60 | SWP640D | SL6800C | SLH60R075GTDI
History: FDS2672F085 | AP4800AGM | FDS8880 | RDD020N60 | SWP640D | SL6800C | SLH60R075GTDI
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Liste
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MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
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