SLI13N50C Todos los transistores

 

SLI13N50C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SLI13N50C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 184 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.48 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262
 

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SLI13N50C Datasheet (PDF)

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SLI13N50C

SLI13N50C 500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Msemiteks advanced planar - 13A, 500V, RDS(on)typ = 0.48@VGS = 10 Vstripe DMOS technology. This advanced technology has been - Low gate charge especially tailored to minimize conduction loss, provide superior - Low Crss - Fast switchingswitching performance, and withstand high ener

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