MPF10N65 Todos los transistores

 

MPF10N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPF10N65
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 106 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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MPF10N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:461K  cn minos
 mpf10n65.pdf pdf_icon

MPF10N65

Silicon N-Channel Power MOSFETDescriptionThe MPF10N65 uses advanced trench technology anddesign to provide excellent RDS(ON)with low gate charge.It can be used in a wide variety of applications.General Features VDS=10AID=650VSchematic diagram RDS(on)(typ)=0.6@VGS=10V,ID=4.0A Low Crss:18.5pF@25V Fast switching Improved dv/dt capabilityApplication

 0.1. Size:577K  trinnotech
 tmp10n65 tmpf10n65.pdf pdf_icon

MPF10N65

TMP10N65/TMPF10N65 TMP10N65G/TMPF10N65G VDSS = 715 V @Tjmax Features ID = 9.5A Low gate charge RDS(on) = 0.98 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP10N65 / TMPF10N65 TO-220 / TO-220F TMP10N65 / TMPF10N65 RoHS TMP10N

 0.2. Size:607K  trinnotech
 tmp10n65a tmpf10n65a.pdf pdf_icon

MPF10N65

TMP10N65A(G)/TMPF10N65A(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 9.5A

 0.3. Size:491K  jiejie micro
 jmpf10n65bj.pdf pdf_icon

MPF10N65

JMPF10N65BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 650V, 10A Load SwitchRDS(ON)

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History: WMK180N03TS | WMK115N15HG4 | IXFK48N60P | TMP20N50 | TMP4N65 | IRF1010EZ | DH0159I

 

 
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