MPG08N68P Todos los transistores

 

MPG08N68P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MPG08N68P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 68 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm

Encapsulados: TO220

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MPG08N68P datasheet

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MPG08N68P

68V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION The MPG08N68 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge. It can DS(ON) be used in a wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS Schematic diagram V = 68V,I = 100A DS D R

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MPG08N68P

68V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION The MPG08N68 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge. It can DS(ON) be used in a wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS Schematic diagram V = 68V,I = 100A DS D R

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History: TK70D06J1

 

 

 

 

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