MPG150N10P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MPG150N10P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 211 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 590 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
Encapsulados: TO220
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MPG150N10P datasheet
mpg150n10p mpg150n10s.pdf
100V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION The MPG150N10 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge. It can be used in a DS(ON) wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS V = 100V,I = 150A R
Otros transistores... MD70N10 , MDT30P10D , MDT4N65 , MPF10N65 , MPG08N68P , MPG08N68S , MPG120N06P , MPG120N06S , 12N60 , MPG150N10S , MPT035N08P , MPT035N08S , FTP06N06N , MD40N50 , MD50N50 , MDT35P10D , MDT40P10D .
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