MPG150N10P Todos los transistores

 

MPG150N10P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MPG150N10P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 211 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 590 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: TO220

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MPG150N10P datasheet

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MPG150N10P

100V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION The MPG150N10 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge. It can be used in a DS(ON) wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS V = 100V,I = 150A R

Otros transistores... MD70N10 , MDT30P10D , MDT4N65 , MPF10N65 , MPG08N68P , MPG08N68S , MPG120N06P , MPG120N06S , 12N60 , MPG150N10S , MPT035N08P , MPT035N08S , FTP06N06N , MD40N50 , MD50N50 , MDT35P10D , MDT40P10D .

History: SP2108 | IRFU214PBF | MPG120N06S

 

 

 

 

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