MD40N50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MD40N50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 141 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 751.2 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
Encapsulados: TO247
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MD40N50 datasheet
md40n50.pdf
Silicon N-Channel Power MOSFET Description The MD40N50 uses advanced technology and design to provide excellent RDS(ON) . It can be used in a wide variety of applications. General Features V =500V,I =40A DS D Low ON Resistance Low Reverse transfer capacitances 100% Single Pulse avalanche energy Test Application Power switching application TO-247 Adapter and
md40n25.pdf
Silicon N-Channel Power MOSFET Description MD40N25 the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. General Features V =250V, R
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