MDT35P10D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MDT35P10D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 110 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
Encapsulados: TO252
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MDT35P10D datasheet
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History: MDS1526URH | LSH65R950HT | BSZ035N03LS | BSZ12DN20NS3G | WMS04N10TS
History: MDS1526URH | LSH65R950HT | BSZ035N03LS | BSZ12DN20NS3G | WMS04N10TS
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