MDT35P10D Todos los transistores

 

MDT35P10D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDT35P10D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 110 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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MDT35P10D Datasheet (PDF)

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MDT35P10D

MDT35P10DSilicon P-Channel Power MOSFET SiliconDescriptionThe MDT35P10D uses advanced technology and design to provideexcellent RDS(ON) . It can be used in a wide variety of applications.General Features VDS=-110V, ID=-35A Low ON Resistance Low Reverse transfer capacitances 100% Single Pulse avalanche energy TestApplication Power switching application

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History: ELM5E400PA

 

 
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