MPG30P10P Todos los transistores

 

MPG30P10P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPG30P10P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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MPG30P10P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  cn minos
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MPG30P10P

Silicon P-Channel Power MOSFETDescriptionThe MPG30P10P uses advanced technology and design to provideexcellent RDS(ON) . It can be used in a wide variety of applications.General Features VDS=-100V, ID=-30A Low ON Resistance Low Reverse transfer capacitances 100% Single Pulse avalanche energy TestApplication Power switching application Adapter and charger

 9.1. Size:2198K  cn minos
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MPG30P10P

Green Product MPG30N06 60V N-Channel Power MOSFET KEY CHARACTERISTICS DESCRIPTION V = 60V,I = 30A DS DThe MPG30N60 uses advanced trench technology to provide R

 9.2. Size:951K  cn minos
 mdt30n10d mpg30n10p.pdf pdf_icon

MPG30P10P

100V N-Channel Power MOSFETDESCRIPTIONThe MPG30N10 uses advanced trench technology toprovideexcellent R , low gate charge. It can be used in a wideDS(ON)variety of applications.KEY CHARACTERISTICS V = 100V,I =30ADS DR

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History: MPT037N08S | MDT18N10D | MPG100N06 | MPG100N03P

 

 
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