P80NF70 Todos los transistores

 

P80NF70 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P80NF70
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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P80NF70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:783K  cn minos
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P80NF70

80V N-Channel Power MOSFETDESCRIPTIONThe P80NF70 uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be usedina wide variety of applications.KEY CHARACTERISTICS V = 80V,I = 90ADS DRDS(ON)

 0.1. Size:440K  st
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P80NF70

STP80NF70N-channel 68 V, 0.0082 , 98 A, TO-220STripFET II Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTP80NF70 68 V

 8.1. Size:377K  st
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P80NF70

STP80NF75LSTB80NF75L STB80NF75L-1N-CHANNEL 75V - 0.008 - 80A TO-220/D2PAK/I2PAKSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP80NF75L 75 V

 8.2. Size:368K  st
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P80NF70

STP80NF75LSTB80NF75L STB80NF75L-1N-CHANNEL 75V - 0.008 - 80A TO-220/D2PAK/I2PAKSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP80NF75L 75 V

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