P80NF70 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: P80NF70
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для P80NF70
P80NF70 Datasheet (PDF)
p80nf70.pdf

80V N-Channel Power MOSFETDESCRIPTIONThe P80NF70 uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be usedina wide variety of applications.KEY CHARACTERISTICS V = 80V,I = 90ADS DRDS(ON)
stp80nf70.pdf

STP80NF70N-channel 68 V, 0.0082 , 98 A, TO-220STripFET II Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTP80NF70 68 V
stb80nf75l stp80nf75l.pdf

STP80NF75LSTB80NF75L STB80NF75L-1N-CHANNEL 75V - 0.008 - 80A TO-220/D2PAK/I2PAKSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP80NF75L 75 V
stp80nf75l.pdf

STP80NF75LSTB80NF75L STB80NF75L-1N-CHANNEL 75V - 0.008 - 80A TO-220/D2PAK/I2PAKSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP80NF75L 75 V
Другие MOSFET... MPT037N08P , MPT037N08S , MPT042N10P , MPT042N10S , MPT045N08P , MPT045N08S , MPT65N08 , MPT65N08S , IRF520 , , , , , , , , .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: P80NF70 | MPT65N08S | MPT65N08 | MPT045N08S | MPT045N08P | MPT042N10S | MPT042N10P | MPT037N08S | MPT037N08P | MPT028N10S | MPG55N06P | MPG50N06P | MPG40P10P | MPG30P10P | MPG160N04P | MPS100N06
Popular searches
2n2102 | mj15003g | oc75 transistor | irfp260m | 2sc1213 | a1491 transistor | 2sc897 | 2sa818