P80NF70 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P80NF70  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P80NF70

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P80NF70 даташит

 ..1. Size:783K  cn minos
 p80nf70.pdf pdf_icon

P80NF70

80V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION The P80NF70 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used ina wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS V = 80V,I = 90A DS D RDS(ON)

 0.1. Size:440K  st
 stp80nf70.pdf pdf_icon

P80NF70

STP80NF70 N-channel 68 V, 0.0082 , 98 A, TO-220 STripFET II Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STP80NF70 68 V

 8.1. Size:377K  st
 stb80nf75l stp80nf75l.pdf pdf_icon

P80NF70

STP80NF75L STB80NF75L STB80NF75L-1 N-CHANNEL 75V - 0.008 - 80A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP80NF75L 75 V

 8.2. Size:368K  st
 stp80nf75l.pdf pdf_icon

P80NF70

STP80NF75L STB80NF75L STB80NF75L-1 N-CHANNEL 75V - 0.008 - 80A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP80NF75L 75 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MPT037N08P, MPT037N08S, MPT042N10P, MPT042N10S, MPT045N08P, MPT045N08S, MPT65N08, MPT65N08S, 75N75, AO3400S, AO3401S, IRLR024NTR, K3878, MD20N60, MD20N65, MD23N50, MD33N25