MD9N90 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MD9N90  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 350 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 215 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.15 Ohm

Encapsulados: TO3P

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MD9N90 datasheet

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MD9N90

Silicon N-Channel Power MOSFET Description The MD9N90 uses advanced technology and design to provide excellent R . It can be used in a wide variety of DS(ON) applications. General Features V =900V, R

Otros transistores... AO3401S, IRLR024NTR, K3878, MD20N60, MD20N65, MD23N50, MD33N25, MD40N25, IRF9640, MDP18N20, MDP2N60, MDP5N65, MDP9N20, MDT08N06D, MPG180N10P, MPG180N10S, MPG200N08P