MD9N90 Todos los transistores

 

MD9N90 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MD9N90
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 350 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 215 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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MD9N90 Datasheet (PDF)

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MD9N90

Silicon N-Channel Power MOSFETDescriptionThe MD9N90 uses advanced technology and design toprovide excellent R . It can be used in a wide variety ofDS(ON)applications.General Features V =900V, R

Otros transistores... AO3401S , IRLR024NTR , K3878 , MD20N60 , MD20N65 , MD23N50 , MD33N25 , MD40N25 , IRF9640 , MDP18N20 , MDP2N60 , MDP5N65 , MDP9N20 , MDT08N06D , MPG180N10P , MPG180N10S , MPG200N08P .

 

 
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