MPT023N10T Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MPT023N10T  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 416.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 326 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1715 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0018 Ohm

Encapsulados: TOLL

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MPT023N10T datasheet

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MPT023N10T

Description MPT023N10-T, the N-channel Enhanced Power MOSFETs, is obtained by advanced double trench technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This is suitable device for BMS and high current switching applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 100 V DSS I 326 A D R 1.4 m DS( on).typ FEATURES

 9.1. Size:859K  cn minos
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MPT023N10T

100V N-Channel Power MOSFET Description MPT028N10,the N-channel Enhanced Power MOSFETs, is obtained by advanced double trench technology which reduce the conduction loss,improve switching performance and enhance the avalanche energy. This is suitable device for BMS and high current switching applications. General Features V =100V, R

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