MPT028N10P Todos los transistores

 

MPT028N10P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPT028N10P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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MPT028N10P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:859K  cn minos
 mpt028n10p mpt028n10s.pdf pdf_icon

MPT028N10P

100V N-Channel Power MOSFETDescriptionMPT028N10,the N-channel Enhanced Power MOSFETs,is obtained by advanced double trench technology whichreduce the conduction loss,improve switching performanceand enhance the avalanche energy. This is suitable devicefor BMS and high current switching applications.General Features V =100V, R

 9.1. Size:707K  cn minos
 mpt023n10t.pdf pdf_icon

MPT028N10P

DescriptionMPT023N10-T, the N-channel Enhanced PowerMOSFETs, is obtained by advanced double trenchtechnology which reduce the conduction loss,improve switching performance and enhance theavalanche energy. This is suitable device for BMSand high current switching applications.KEY CHARACTERISTICSParameter Value UnitV 100 VDSSI 326 ADR 1.4 mDS( on).typFEATURES

Otros transistores... MPG40N10P , MPG60N10P , MPG60NF06P , MPG80N06P , MPG90N08P , MPG90N08S , MPT012N08T , MPT023N10T , 50N06 , , , , , , , , .

History: MPG90N08P

 

 
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