MDT15P04D Todos los transistores

 

MDT15P04D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDT15P04D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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MDT15P04D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:766K  cn minos
 mdt15p04d.pdf pdf_icon

MDT15P04D

Silicon P-Channel Power MOSFETDescriptionThe MDT15P04D uses advanced trench technology to provideexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide varietyDS(ON)of applications.KEY CHARACTERISTICS V = -40V,I =-15ADS D R

 9.1. Size:995K  cn minos
 mdt15n10.pdf pdf_icon

MDT15P04D

100V N-Channel Power MOSFETDescriptionMDT15N10, the uses advanced trench technology to provideexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide varietyDS(ON)of applicationsKEY CHARACTERISTICSV =100V,ID=15ADSR

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History: MPG160N04P

 

 
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