MDT18N20 Todos los transistores

 

MDT18N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDT18N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 52 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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MDT18N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:606K  cn minos
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MDT18N20

Silicon N-Channel Power MOSFETDescriptionMDT18N20, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs,is obtained by advanced MOSFET technology which reducethe conduction loss, improve switching performance andenhance the avalanche energy. The transistor is suitable devicefor SMPS, high speed switching and general purpose applications.KEY CHARACTERISTICSSchematic diagram V =200V,I =18A

 ..2. Size:618K  cn minos
 mp18n20 mpf18n20 mdp18n20 mdt18n20.pdf pdf_icon

MDT18N20

DescriptionMP18N20, the silicon N-channel EnhancedMOSFETs, is obtained by advanced MOSFETtechnology which reduce the conduction loss,improve switching performance and enhance theavalanche energy. The transistor is suitabledevice for SMPS, high speed switching andgeneral purpose applications.KEY CHARACTERISTICSParameter Value UnitV 200 VDSI 18 ADR 0.13 DS(ON).Typ

 8.1. Size:1019K  cn minos
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MDT18N20

100V N-Channel Power MOSFETDESCRIPTIONThe MDT18N10D uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be usedin a wide variety of applications.Application Power switching application Hard switched and High frequency circuits Uninterruptible power supplySchematic diagramKEY CHARACTERISTICS V = 100V,I = 18ADS DR

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