MDT5N65 Todos los transistores

 

MDT5N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDT5N65
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 97 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 87 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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MDT5N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:681K  cn minos
 mpf5n65 mp5n65 mdp5n65 mdt5n65.pdf pdf_icon

MDT5N65

650V N-Channel MOSFETFEATURESFast switching100% avalanche testedImproved dv/dt capabilityAPPLICATIONSSwitch Mode Power Supply (SMPS)Uninterruptible Power Supply (UPS)Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingMPF5N65 TO-220F MPF5N65MP5N65 TO-220C 5N65MDP5N65 TO-251 5N65MDT5N65 TO-252 5N65Absolute Maxim

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History: 2N4868A

 

 
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