MDT5N65 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MDT5N65  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 97 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 87 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.35 Ohm

Encapsulados: TO252

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MDT5N65 datasheet

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 mpf5n65 mp5n65 mdp5n65 mdt5n65.pdf pdf_icon

MDT5N65

650V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking MPF5N65 TO-220F MPF5N65 MP5N65 TO-220C 5N65 MDP5N65 TO-251 5N65 MDT5N65 TO-252 5N65 Absolute Maxim

Otros transistores... MPF5N65, MPF8N65, MPF9N20, MPG100N06P, MPG100N06S, MPG100N07P, MPG100N07S, MPG100N08P, IRLB4132, MDT60N06D, MDT60N10D, MDT60NF06D, MDT70N03, MDT7N65, MDT9N20, MLS60R380D, MLS65R380D