MDT60N06D Todos los transistores

 

MDT60N06D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDT60N06D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 87 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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MDT60N06D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1036K  cn minos
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MDT60N06D

60V N-Channel Power MOSFEDescriptionThe MDT60N06 uses advanced trench technologyto provide excellent RDS(ON), low gate charge. It canbe used in a wide variety of applications.General Features V =60V, R

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 mpg60nf06p mdt60nf06d.pdf pdf_icon

MDT60N06D

60V N-Channel Power MOSFETDESCRIPTIONThe MPG60NF06 uses advanced trench technology toprovide excellent R , low gate charge. It can be used inDS(ON)a wide variety of applications.KEY CHARACTERISTICS V = 60V,I = 60ADS DR

 8.2. Size:983K  cn minos
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MDT60N06D

100V N-Channel Power MOSFETDESCRIPTIONThe MDT60N10D uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be usedin a wide variety of applications.KEY CHARACTERISTICS V = 100V,I = 60A R

 8.3. Size:659K  cn minos
 mpg60n10p mdt60n10d.pdf pdf_icon

MDT60N06D

DESCRIPTIONThe MPG60N10P uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON), low gate charge. It can be used in a widevariety of applications.Application Power switching application Hard switched and High frequency circuits Uninterruptible power supplySchematic diagramKEY CHARACTERISTICS V = 100V,I = 60ADS DR

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