MP3205B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MP3205B  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 210 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 101 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 781 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: TO220

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MP3205B datasheet

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MP3205B

Silicon N-Channel Power MOSFET Description MP3205, the silicon N-channel Enhanced MOSFETS, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for Synchronous Rectification, inverter systems ,high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS

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MP3205B

Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMP3205 N-channel 55V, 110A, TO-220 Power MOSFET N-channel 55V, 110A, TO-220 Power MOSFET N-channel 55V, 110A, TO-220 Power MOSFET N-channel 55V, 110A, T

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