MP3205B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MP3205B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 210 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 101 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 781 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MP3205B MOSFET
MP3205B Datasheet (PDF)
mp3205b.pdf
Silicon N-Channel Power MOSFETDescriptionMP3205, the silicon N-channel Enhanced MOSFETS, isobtained by advanced MOSFET technology which reduce theconduction loss, improve switching performance and enhancethe avalanche energy. The transistor is suitable device forSynchronous Rectification, inverter systems ,high speedswitching and general purpose applications.KEY CHARACTERISTICS
gmp3205.pdf
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.GMP3205N-channel 55V, 110A, TO-220 Power MOSFETN-channel 55V, 110A, TO-220 Power MOSFETN-channel 55V, 110A, TO-220 Power MOSFET N-channel 55V, 110A, T
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Liste
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