MP3205B Todos los transistores

 

MP3205B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MP3205B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 210 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 101 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 781 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

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MP3205B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:668K  cn minos
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MP3205B

Silicon N-Channel Power MOSFET Description MP3205, the silicon N-channel Enhanced MOSFETS, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for Synchronous Rectification, inverter systems ,high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS

 8.1. Size:189K  gsme
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MP3205B

Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMP3205 N-channel 55V, 110A, TO-220 Power MOSFET N-channel 55V, 110A, TO-220 Power MOSFET N-channel 55V, 110A, TO-220 Power MOSFET N-channel 55V, 110A, T

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History: STP16NE06 | MP180N06P | HM60N06K

 

 
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