MP3205B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MP3205B  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 101 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 781 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MP3205B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MP3205B даташит

 ..1. Size:668K  cn minos
 mp3205b.pdf pdf_icon

MP3205B

Silicon N-Channel Power MOSFET Description MP3205, the silicon N-channel Enhanced MOSFETS, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for Synchronous Rectification, inverter systems ,high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS

 8.1. Size:189K  gsme
 gmp3205.pdf pdf_icon

MP3205B

Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMP3205 N-channel 55V, 110A, TO-220 Power MOSFET N-channel 55V, 110A, TO-220 Power MOSFET N-channel 55V, 110A, TO-220 Power MOSFET N-channel 55V, 110A, T

Другие IGBT... MLS60R380D, MLS65R380D, MLS65R580D, MP11P20, MP150N08P, MP180N06P, MP18N20, MP20N40P, IRF530, MP40N20, MP50N06, MP5N65, MP70N10, MP9N20, MPF12N65, MPF13N50, MPF18N20