MP50N06 Todos los transistores

 

MP50N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MP50N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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MP50N06 Datasheet (PDF)

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MP50N06

Silicon N-Channel Power MOSFETDescriptionThe MP50N06 uses advanced trench technology anddesign to provide Excellent R . It can be used in aDS(ON)wide variety of applications.General FeaturesSchematic diagram V =60V,I =50ADS DR 14m @V =10V (Typ:11.0 m)dson GSR n16m @V =4.5V (Typ:12.5m)dso GS Low ON Resistance Low Reverse transfer capacitances

Otros transistores... MLS65R580D , MP11P20 , MP150N08P , MP180N06P , MP18N20 , MP20N40P , MP3205B , MP40N20 , AON6380 , MP5N65 , MP70N10 , MP9N20 , MPF12N65 , MPF13N50 , MPF18N20 , MPF20N50 , AP15N04S .

History: MP20N40P | MP40N20 | MP70N10 | AP4N06SI | MP5N65

 

 
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