MP5N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MP5N65
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 97 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 87 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.35 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MP5N65 MOSFET
MP5N65 Datasheet (PDF)
mpf5n65 mp5n65 mdp5n65 mdt5n65.pdf
650V N-Channel MOSFETFEATURESFast switching100% avalanche testedImproved dv/dt capabilityAPPLICATIONSSwitch Mode Power Supply (SMPS)Uninterruptible Power Supply (UPS)Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingMPF5N65 TO-220F MPF5N65MP5N65 TO-220C 5N65MDP5N65 TO-251 5N65MDT5N65 TO-252 5N65Absolute Maxim
tmp5n60az tmpf5n60az.pdf
TMP5N60AZ(G)/TMPF5N60AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 4.2A
tmp5n60z tmpf5n60z.pdf
TMP5N60Z(G)/TMPF5N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 4.2A
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History: MP40N20 | MP70N10 | AP4N06SI
History: MP40N20 | MP70N10 | AP4N06SI
Liste
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