MP5N65 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MP5N65  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 97 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 87 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.35 Ohm

Encapsulados: TO220

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MP5N65 datasheet

 ..1. Size:681K  cn minos
 mpf5n65 mp5n65 mdp5n65 mdt5n65.pdf pdf_icon

MP5N65

650V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking MPF5N65 TO-220F MPF5N65 MP5N65 TO-220C 5N65 MDP5N65 TO-251 5N65 MDT5N65 TO-252 5N65 Absolute Maxim

 9.1. Size:610K  trinnotech
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MP5N65

TMP5N60AZ(G)/TMPF5N60AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 4.2A

 9.2. Size:615K  trinnotech
 tmp5n60z tmpf5n60z.pdf pdf_icon

MP5N65

TMP5N60Z(G)/TMPF5N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 4.2A

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